Row Precharge Delay (tRP):18
Дополнительная информация:нет
описание:Память R744G2606U1S-UO от AMD
Модель:R744G2606U1S-UO
Объем одного модуля (ГБ):4
manufacturerCountry:Тайвань (китай)
название:AMD DDR4 DIMM 4GB R744G2606U1S-UO PC4-21300, 2666MHz
Напряжение (В):1.2
RAS to CAS Delay (tRCD):18
GTIN:04897065181609